退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。优造节能热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉在使用中常会遇到以下几种情况：
1、退火温度是否达到规定温度。
退火炉一般是采取固溶热处理，也就是人们平常所谓的“退火”，温度范围为1040~1120℃。可以通过退火炉观察孔观察，退火区的不锈钢管应为白炽状态，但没出现软化下垂。
2、退火气氛。
一般都是采用纯氢作为退火气氛，如果气氛中另一部分是惰性气体的话，纯度也可以低一点，但是不能含有过多氧气、水汽。
3、炉体密封性。
退火炉应是封闭的，与外界空气隔绝；采用氢气作保护气的，只有一个排气口是通的（用来点燃排出的氢气）。检查的方法可以用肥皂水抹在退火炉各个接头缝隙处，看是否跑气；其中容易跑气的地方是退火炉进管子的地方和出管子的地方，这个地方的密封圈特别容易磨损，要经常检查经常换。
