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igbt中频炉的介绍

作者: 浏览:487 时间:2022-01-14

(1)IGBT中频电源为一种恒功率输出电源,加少量料即可达到满功率输出,并且始终保持不变,所以熔化速度快;因逆变部分采用串联谐振,且逆变电压高,所以IGBT中频比普通可控硅中频节能;IGBT中频采用调频调功,整流部分采用全桥整流,电感和电容滤波,且一直工作在500V,所以IGBT中频产生高次谐波小,

(1)IGBT中频电源为一种恒功率输出电源,加少量料即可达到满功率输出,并且可保持不变,所以熔化速度快;因逆变部分采用串联谐振,且逆变电压高,所以IGBT中频比普通可控硅中频节能;

IGBT中频采用调频调功,整流部分采用全桥整流,电感和电容滤波,且一直工作在500V,所以IGBT中频产生高次谐波小,对电网产生污染工低。

(2)节能型IGBT晶体管中频电源比传统可控硅中频电源可节能15%-25%,节能的主要原因有以下几下方面:

A、逆变电压高,电流小,线路损耗小,此部分可节能15%左右,节能型IGBT晶体管中频电源逆变电压为2800V,而传统可控硅中频电源逆变电压仅为750V,电流小了近4倍,线路损耗大大降低。

B、功率因数高,功率因数始终大于0.98,无功损耗小,此部分比可控硅中频电源节能3%-5%。

由于节能型IGBT晶体管中频电源采用了半可控整流方式,整流部分不调可控硅导通角,所以整个工作过程功率因数始终大于0.98,无功率损耗小。

B、 炉品热损失小,由于节能型IGBT晶体管中频电源比同等功率可控硅中频电源一炉可快15分钟左右,15分钟的时间内炉口损失的热量可占整个过程的3%,所以此部分比可控硅中频可节能3%左右。

(3)高次谐波干扰:高次谐波主要来自整流部分调压时可控硅产生的毛刺电压,会严重污染电网,导致其他设备无法正常工作,而节能型IGBT晶体管中频电源的整流部分 采用半可控整流方式,

直流电压始终工作在,不调导通角,所以它不会产生高次谐波,不会污染电网、变压器,开关不发热,不会干扰工厂内其他电子设备运行。

(4)恒功率输出:可控硅中频电源采用调压调功,而节能型IGBT晶体管中频电源采用调频调功,它不受炉料多少和炉衬厚薄的影响,

在整个熔炼过程中保持恒功率输出,尤其是生产不锈钢、铜、铝等不导磁物质时,熔化速度快,炉料元素烧损少,降低铸造成本。

      


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