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为什么IGBT模块中频炉比可控硅（串联谐振）中频电炉更具有优势：
1、IGBT模块为可自关断大功率三极管与MOS管的组合器件，不需要外部电路使其换相关断。因此设备保护可靠，穿炉、搭铁、接地、水冷电缆烧断都非常不易损坏IGBT模块，其损坏率低于可控硅中频炉。
2、IGBT模块的通电回路中，无需限制电流上升率的空芯电感，使得其工作效率明显提高。
3、IGBT模块无需空芯电感，使得感应器上没有电流换相毛刺。这样感应器匝间不易击穿打火，炉衬寿命也相对延长。
4、IGBT模块中频炉，在整个熔化周期中，炉体得到的有功功率（即负载功率因数）比可控硅中频炉要高，因此效率也明显提高。
主要技术参数：
